1nm以下是芯片制造工艺的关键技术，而英特尔正在研发2D芯片工艺。这个变化明显的重新组织方式能够让读者更好地理解文章的主题和重点。

2023-06-21 22:20:42 英特尔（中国）有限公司

• 快科技6月21日消息，由于半导体工艺越来越复杂，摩尔定律10多年来一直被认为放缓甚至失效，10nm以下制造难度加大，未来10年还要进入1nm以下节点，迫切需要更先进的技术。 在这个领域里，英特尔率先在22nm节点进入FinFET晶体管时代，在20A、18A节点上则使用了RibbonFET和PowerVia两项新技术，再往后又需要改变晶体管结构了，英特尔的目标是全新的2D TMD材料。 其中的2D指的是单层原子组成的结晶体，TMD则是过渡金属二硫化物的简称，具体包括二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)和二硒化钨(WSe2)等材料，这些新材料可实现小于1nm的沟槽厚度，同时具有更好的带隙和迁移率，也就是高性能、低功耗优势。 制备2D TMD材料并不容易，为此英特尔日前宣布跟欧洲CEA-Leti达成合作协议，开发300mm晶圆上的2D TMD层转移技术，后者是这方面的专家，可提供专业的键合及层转移技术支持，便于英特尔制造出最终的硅基芯片。 这个过程可能需要很多年，英特尔的目标是2030年之后继续扩展摩尔定律，也就是进一步提升晶体管密度，提升性能，降低成本功耗等。

  

• 招聘范围主要集中在上海、北京、大连，主要招聘经验要求为5-10年，学历要求为本科的岗位。

• 公司参与中标3次，最近项目为：天翼云2021年北京五机房二台云物理机磁盘扩容工程单一来源采购公示、绵阳市第三人民医院计算机及周边设备(第二次)中标（成交）结果公告、天水日报社搬迁工程技术信息服务软件公开招标采购项目招标公告【后审公告】。