三星电子旗下晶圆代工事业Samsung Foundry已开始跟大型芯片客户接洽,准备提供1.4nm及2nm制程的服务。据朝鲜日报报道,三星率先量产3nm(环绕式闸极,gate-all-around,GAA)制程,但大客户方面不如台积电。三星正在跟大客户接洽,可能在未来几年展现成果。Jeong表示,GAA制程是一种可以延续到未来的技术,鳍式场效电晶体(FinFET)制程则无法更加精进,公司已在跟大客户讨论2nm、1.4nm等未来制程。从当前大厂研发进度看,三星已量产第二代3nm芯片,并计划2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程;台积电预计N3P将于2024年下半年投产,N3X、2nm工艺计划2025年进入量产阶段。台积电介绍,公司将在2nm制程节点首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管,相较于N3E,该工艺在相同功耗下,速度最快将可增加至15% ;在相同速度下,功耗最多可降低30%,同时芯片密度增加大于15%。英特尔正努力推进“四年五个制程节点”计划,目前其Intel 7和Intel 4已实现大规模量产;Intel 3制程预计在今年下半年可进入准备量产阶段,后续Intel 20A与18A制程则分别计划于2024年上、下半年也进入准备量产阶段。此外,业界认为,可能在接下来的短期内,英特尔在先进制程晶圆代工领域会以Intel 3制程为主打,以应对台积电、三星等业者的竞争。
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公司参与中标3次,最近项目为:天翼云2021年北京五机房二台云物理机磁盘扩容工程单一来源采购公示、绵阳市第三人民医院计算机及周边设备(第二次)中标(成交)结果公告、天水日报社搬迁工程技术信息服务软件公开招标采购项目招标公告【后审公告】。