长鑫存储发布了一项名为“存储器的检测方法及存储器”的专利，该专利揭示了该公司在存储器技术领域的一项重要创新。通过这项专利，长鑫存储全面掌握了存储器的检测方法和生产过程，为我国存储器产业的发展做出了积极贡献。

2023-09-07 14:27:00 长鑫存储技术有限公司

• 长鑫存储技术有限公司于9月5日发布了名为“存储器的检测方法及存储器”的专利申请,申请发布号为cn116705103a。该专利旨在解决存储器领域中存储单位与上线之间漏电测定的复杂技术问题。 据专利要点描述,该存储器提供了一种检测方法及存储半导体相关技术领域中存储单位与上线之间漏电测定的复杂技术问题。该存储器的检测方法包括选通字线,通过位线在所有存储单元中写设定存储。为了使比特线的电位与存储单位的电位不同,将磁条封闭,给比特线加第一电压。保持预先设定的时间后,选择通话线,通过比特线读取所有存储单位中的实际存储数据。将各储存装置的实际储存数据和事先设定的储存数据进行比较,判断该储存装置是否有漏电。 该存储器通过使用预先设定的存储数据,读取实际存储数据,比特线的电位单独加载,不需要按顺序选择通文线,存储单位与比特线之间的漏电检测方法简单。

  

• 2016年5月，长鑫存储技术有限公司（以下简称长鑫存储）的事业在“创新之都”—安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片（DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前12英寸晶圆厂已建成投产。DRAM产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域，市场需求巨大并持续增长。

• 招聘范围主要集中在合肥、北京、上海，主要招聘经验要求为5-10年，学历要求为本科的岗位。

• 公司参与招标218次，招标金额为10300.57（万元），公司参与中标11次，最近项目为：长鑫存储技术有限公司测试项目环评技术服务(三次)候选人公示、长鑫工业厂房项目废水处理站1B项目第三方检测服务工程评审结果公示、长鑫工业厂房项目废水处理站1B项目第三方检测服务工程谈判公告。