GaN射频芯片设计团队位于国博电子。该公司自主研发设计的GaN射频芯片已经在各种有源相控阵T/R组件等产品中得到了广泛应用。

2023-07-17 08:48:33 南京国博电子股份有限公司

• 7月17日,有投资者向国博电子提问,询问公司在第三代半导体的布局以及是否有布局上游芯片的计划。公司回答表示,国博电子正在积极布局以氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体领域,拥有GaN射频芯片设计团队,自主研发设计的GaN射频芯片已在有源相控阵T/R组件等产品中广泛应用。感谢投资者对公司的关注和支持。

  

• 招聘范围主要集中在南京。

• 公司参与招标161次，招标金额为785604.47（万元），公司参与中标27次，中标金额为8764.29（万元），最近项目为：南京国博电子股份有限公司硬件新增与升级-服务器与存储设备采购项目-结果公示、南京国博电子股份有限公司硬件新增与升级-服务器与存储设备采购项目中标候选人公示、南京国博电子股份有限公司高频ATE测试系统采购项目-结果公示。