近年来,国产高压GaN技术取得了重要进展,降低了成本70%以上。这一成果不仅是对我国能源事业的重要贡献,更是GaN技术发展史上的重要里程碑。

2023-11-16 11:56:00 温州芯生代科技有限公司

• 国产氮化镓迎来新技术成果,温州芯生代科技有限公司于11月10日发布了850VCynthus系列硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延,旨在帮助GaN HEMT功率器件拓展氮化镓在汽车主驱等高压应用领域。该外延产品具有以下几个特点和优势: 1. 成本降低70%,远低于硅外延片; 2. 通过采用场板或其他手段,将可用电压提高到900V,甚至1200V; 3. 外延厚度仅5.33μm即可实现850V的安全工作电压; 4. 单位厚度垂直击穿电压为158V/μm,误差小于1%; 5. 外延电流密度大于100mA/mm,国内首家。 芯生代科技本次发布的850V GaN外延产品主要面向高电压、大电流HEMT功率器件应用。该公司认为,850V硅基氮化镓外延产品的发布在市场上具有标志性意义。利用该产品,可以开发出650V

  

• 温州芯生代科技有限公司成立于2021年8月，主要从事工程和技术研究和试验发展；电子产品销售；半导体分立器件制造；半导体照明器件制造；半导体分立器件销售；光电子器件制造；集成电路芯片及产品销售；电力电子元器件制造；电子专用材料销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子专用材料制造；集成电路芯片及产品制造；电子专用材料研发。