三星电子存储业务总裁李荣培(Jung-bae Lee)最新披露,第9代V-NAND进展顺利,将在明年初量产,基于双堆栈架构,达成业界最高堆叠层数。虽然三星没有披露具体的层数,但此前就有说法称,会提高到300层以上,三星的加码显然让三星坐不住。 三星一直处于存储一哥的位置,但是被SK海力士全球首家宣布的321层堆叠的NAND闪存突破300层的消息刺激后,三星坐不住了。三星表示,第9代V-NAND闪存将量产,达到业界最高堆叠层数。虽然三星没有披露具体的层数,但据此前消息,第9代V-NAND闪存将会提高到300层以上。 显然,三星已经给第9代闪存加码了。
SK海力士半导体(中国)有限公司位于江苏省无锡市高新区,是世界一流的存储器制造企业。主要生产12英寸半导体集成电路芯片,应用范围涉及个人电脑、服务器、移动存储等领域。公司采用世界最先进技术生产DRAM和NAND闪存产品,自2005年建立以来在锡进行了多次增资及技术升级,累计投资额达112亿美元,是江苏省***的外商独资项目。另外,公司已启动第二工厂建设,预计在2018年11月完工,此项目必将为SK海力士的未来发展注入新的动力与活力。SK海力士半导体(中国)有限公司一直致力于打造世界***的半导体生产基地,与此同时,认真履行企业的社会职责,积极参与公益事业,为社会谋求福利。作为一流的外资企业,SK海力士必将迈着稳健的步伐,前进在繁荣成长的道路上,期待优秀的您加入我们的大家庭!。
招聘范围主要集中在无锡,主要招聘经验要求为1-3年,学历要求为本科的岗位。
公司参与招标15次,招标金额为1250.76(万元),最近项目为:SK海力士半导体(中国)有限公司保安服务公开招标公告、SK海力士半导体(中国)有限公司含氟污泥(非危险废物)处置商公募公告、SK海力士半导体(中国)一般废弃物处置项目公开招标公告。