问题：如何升级国产碳化硅衬底？ 分析和解答：在8英寸时代，国产碳化硅衬底的发展面临着诸多挑战。为了应对这些挑战，我们可以从以下几个方面进行升级： 1. 提高掺杂质量：杂质对于碳化硅衬底的性能有着很大的影响，因此提高掺杂质量可以有效提升衬底的性能。我国在掺杂技术方面取得了一定的进展，但仍需进一步提高掺杂质量。 2. 优化材料结构：通过调控杂质掺杂量、晶格错配度等因素，可以优化碳化硅衬底材料结构，提高其性能。例如，调整掺杂量可以在一定程度上改善材料导电性。 3. 改进工艺：对于生产过程中的工艺条件进行优化，例如调整烧结温度、压力等参数，可以有效降低碳化硅衬底的生产成本，提高其性能。 4. 加强研究：我国在碳化硅衬底研究方面具有一定的基础，但仍需进一步加强研究，以期在衬底材料性能上取得更大的突破。 5. 产业协同：在产业上，我国应该加强与其他领域的产业协同，共同推动碳化硅衬底产业的发展。例如，在光伏发电领域，可以将碳化硅衬底与光伏电池组件相结合，提高发电效率。 总之，要想升级国产碳化硅衬底，需要在多个方面进行努力，包括提高掺杂质量、优化材料结构、改进工艺、加强研究以及产业协同等。通过这些措施的实施，我国将有望在碳化硅衬底领域取得更大的发展。

2023-10-27 14:02:00 河北同光半导体股份有限公司

• 新能源汽车、5G通讯、光伏和储能等下游领域的快速发展,正在推动碳化硅(SiC)产业的高速发展。为此,各方加强研发力度,旨在突破技术壁垒,抢占市场先机。其中,8英寸SiC衬底作为碳化硅突破瓶颈的重要工艺节点,成为各方抢攻的黄金赛道。 作为第三代半导体代表材料之一,碳化硅具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场和更高的热导率等性能优势,在高温、高压、高频领域表现优异,已成为半导体材料技术领域的主要发展方向之一。 根据TrendForce集邦咨询的预测,2023年整体SiC功率元件市场规模将达到22.8亿美元,年成长41.4%,并预计到2026年SiC功率元件市场规模可望达到53.3亿美元。从产业链结构上看,SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成,衬底在SiC器件成本中占比高达~45%。 业界认为,为了降低单个器件的成本,进一步扩大SiC衬底尺寸,在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。8英寸SiC衬底将比6英寸在成本降低上具有明显优势。Wolfspeed数据显示,从6英寸升级到8英寸,衬底的加工成本有所增加,但合格芯片产量可以增加 80%-90%;同时8英寸衬底厚度增加有助于在

  

• 河北同光半导体股份有限公司成立于2012年，公司位于河北省保定市高新区，主要从事第三代半导体材料SiC单晶片的研发和生产。 公司主营产品包括4/6英寸碳化硅单晶衬底的生产和加工。目前同光已建成具有国内领先水平的SiC单晶片生产线。 公司始终坚持“以科技为先导，创国际一流企业”的方针，与中科院半导体所紧密合作，打造了一支具有国内领先水平的研发队伍，成立了“第三代半导体材料联合研发中心”，并建立院士工作站，博士后工作站。是中科院半导体所成果转化基地。

• 招聘范围主要集中在保定、石家庄、秦皇岛，主要招聘经验要求为1-3年，学历要求为本科的岗位。

• 公司参与招标15次，招标金额为6996.00（万元），公司参与中标24次，中标金额为12464.49（万元），最近项目为：河北同光晶体有限公司1#生产厂房 同光晶体塔吊招标、河北同光晶体有限公司1#生产厂房 同光晶体施工电梯招标、河北同光晶体有限公司1#生产厂房 同光晶体砂浆招标公告。