国产SiC出现了一些好消息。

2023-06-13 10:00:47 山东天岳先进科技股份有限公司

• 近年来，随着新能源和智能化需求的增长，对SiC材料的需求呈现出井喷式增长的态势。根据Yole的最新预测，到2027年，SiC器件市场预计将从2021年的10亿美元增长到60 亿美元以上。中国市场成为全球SiC产业发展的重要引擎。国际SiC巨头厂商们为了深入中国腹地，在中国市场站稳脚跟，抢占先机，正在紧锣密鼓的布局。 SiC建厂热潮还在愈演愈烈。2023年6月7日，意法半导体与三安在中国重庆共同建立一个新的8英寸SiC器件合资制造工厂，这一中外合作的事件一时间引起业界的广泛关注。该厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成，该厂达产后可生产8英寸SiC晶圆1万片/周。据了解，该合资项目公司将由三安光电控股，暂定名为“三安意法半导体(重庆)有限公司”，其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51%，意法半导体(中国)投资有限公司持股49%。同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸SiC衬底工厂作为配套，计划投资约70亿元。 而就在今年的5月份，另一家SiC巨头英飞凌与中国的2家SiC材料供应商天科合达和天岳先进分别签订了SiC晶圆和晶晶锭供应协议。这些协议不仅让英飞凌多元化其SiC(SiC)材料供应商体系，还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的SiC材料供应。英飞凌正着力提升SiC产能，实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。 这些欧洲SiC巨头而言，无论是与中国的厂商一起建SiC厂还是签订衬底材料合约，都将有助于保证整个供应链的稳定，有利于他们以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。这也侧面展示了中国市场的巨大潜力，反映出了国产

  

• 山东天岳先进科技股份有限公司成立于2010年11月，是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。公司秉承“先进·品质·持续”的经营理念，以满足客户需求、帮助客户解决问题为导向，重视产品品质和服务品质，自主掌握工艺技术，积极拓展市场，追求业务可持续发展。碳化硅单晶衬底材料是一种宽禁带半导体材料，和传统材料相比具有更加优异的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整体性能，在电力电子以及微波电子领域有着广泛的应用前景。但优越的物理性能背后是精密且复杂的制备工艺，碳化硅单晶的生长需要在高温低压密闭环境下进行，且微小的环境变化都会引起晶格错乱从而影响衬底材料的品质。公司依托卓越的研发团队和多年积累的产业化经验，重视技术引领、品质提升，长期坚持创新，以打造一体化解决方案为核心，完善服务、完善产品，力争成为国际著名的半导体材料公司。

• 招聘范围主要集中在济南、上海、济宁，主要招聘经验要求为1-3年，学历要求为本科的岗位。

• 公司参与招标15次，招标金额为3390.06（万元），公司参与中标15次，中标金额为553.25（万元），最近项目为：山东省碳化硅材料重点实验室项目监理、山东天岳先进科技股份有限公司电脑打印机采购、山东天岳先进科技股份有限公司电脑打印机采购。