今年，英特尔将率先采用下一代 High-NA EUV 光刻技术，为芯片制造商提供更快、更高效的刻蚀服务。相较于传统的 EUV 光刻技术，这款新型光刻机在刻蚀速度和深度方面有了显著提升。同时，英特尔还将携手合作伙伴共同推动这一技术的发展，为全球电子产业带来更多创新和突破。

2023-10-02 23:40:07 英特尔（中国）有限公司

• 英特尔已经在价值 185 亿美元的爱尔兰工厂开始使用 EUV 光刻机进行大规模生产,将其称为“里程碑时刻”。英特尔技术开发总经理安・凯勒赫表示,英特尔将于今年率先引入下一代高数值孔径(High-NA) EUV 光刻机,而此前英特尔曾表示 High-NA 技术在 18A 节点上仅用于设备开发和验证,并将在 18A 之后的节点上正式投产。该公司表示,有了 High-NA EUV 光刻机,理论上可以在英特尔实现其“四年五代工艺”的路上发挥关键作用。目前,英特尔已经完成了两个制造工序,而第三个工序“正在迅速到来”,而且最后两个工序都取得了非常好的进展。 ASML 首席执行官 Peter Wennink 上个月在接受路透社采访时表示,尽管供应商出现了一些阻碍,但公司仍会按照此前设定的计划,在今年年底之前交付 High NA EUV 机器。凯勒赫说,英特尔预计今年晚些时候将在俄勒冈州收到首批 High-NA EUV 光刻机,而且英特尔将是首个获得这款机器的芯片制造商。 ASML 表示,一台 High-NA EUV 设备的体积和卡车相当,每台设备超过 1.5 亿美元(IT之家备注:当前约 10.95 亿元人民币),可以满足各类芯片制造商的需求,可以在未来十年内制造更小、更先进的芯片。目前,最先进的芯片是 4/5 纳米级工艺,下半年三星和台积电还能量产 3nm 技术,而对于使用 ASML EUV 光刻技术的 Twinscan NXE:3400C 及类似系统来说,它们大都具有 0.33 NA(数值孔径)的光学器件,可提供 13 纳米分辨率。目前来看,这种分辨率尺寸对于 7 纳米/

  

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